《半導體》聯電率先採用0.11微米eFlash製程，量產觸控IC

• 2015-09-23 09:17
 
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• 【時報記者沈培華台北報導】

聯電(2303)宣布，採用晶圓專工業界第一個0.11微米eFlash製程，量產觸控IC，可因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。

聯電表示，此特殊技術最初於2012年底推出，是為晶圓專工業界第一個結合12V與純鋁後段(BEoL)製程。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用於各尺寸觸控螢幕產品的微控制器時，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件，並可達到更高效能。

聯電市場行銷處資深處長黃克勤表示，觸控面板已是今日電子產品主流的操作介面。聯電觸控平台解決方案其中一項重要特點，就是其0.11微米eFlash解決方案，包含了可提供晶片設計公司的專有快閃記憶體macro設計服務。並藉由結合鋁後段製程來提供最佳成本效益，服務高度競爭的觸控IC市場。此外，就如公司0.18微米eFlash製程一樣，12V可滿足今日更大尺寸觸控螢幕，與瀏覽網頁時在觸控螢幕上懸浮觸控(hover)應用的高信噪比需求。