《半導體》聯電攜手ARM，14奈米測試晶片設計定案
聯電(2303)今（22）宣布，與全球IP矽智財授權領導廠商ARM合作，基於聯電14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產的PQV測試晶片已經設計定案（tape out），代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證。
此14奈米合作案延續自雙方成功將ARM Artisan實體IP整合至聯電28奈米高介電金屬閘極（High K/Metal gate）量產製程。
聯電14奈米FinFET製程技術驗證，是聯電FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步，包括基礎IP矽智財（foundation IP）和ARM處理器實體設計。聯電14奈米FinFET製程，預計於2015年底接受客戶設計定案(tape-out)。
聯電負責矽智財開發與設計支援的副總王國雍表示，在聯電準備向客戶提供14奈米FinFET製程之際，建立強大的設計支援基礎以強化14奈米平台的整體效益是至關重要的。ARM是先進製程的IP矽智財全球領導供應商，公司很高興能夠延續先前的成功經驗，將Artisan實體IP以及Cortex處理器解決方案納入聯電14奈米製程。
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